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型号 SPB21N50C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
SPB21N50C3 PDF
代理商 SPB21N50C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 560V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 13.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2400pF @ 25V
功率 - 最大 208W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SPB21N50C3INCT
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